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北京特博万德科技

氧化硅片

北京特博万德加工、销售 氧化硅片,大量现货。
尺寸:1,2,3,4,5,6,8,12英寸;定制尺寸、切割小块;
 晶向: 100、111等;

 氧化层SiO2膜厚: 较薄:25nm、50nm等;常规100-500nm;厚1um、2um;超厚>3um~10um;

 表面: 单面抛光双面氧化、单片抛光单面氧化、双面抛光双面氧化;
 类型: N型、P型、非掺杂高阻;
 电阻率: <0.0015~1等低阻区、1-10Ω.cm中阻区、>1000~10000高阻区;
 工艺:热氧化工艺,也可PECVD加工 ;
 应用: 刻蚀钝化层、金属打线测试、电性绝缘层、涂胶、器件层等。
 供货能力:大量现货、参数齐全;
 订制能力: 各种参数均可订制。

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商品描述

北京特博万德加工、销售 氧化硅片,大量现货。
尺寸:1,2,3,4,5,6,8,12英寸;定制尺寸、切割小块;
 晶向: 100、111等;

 氧化层SiO2膜厚: 较薄:25nm、50nm等;常规100-500nm;厚1um、2um;超厚>3um~10um;

 表面: 单面抛光双面氧化、单片抛光单面氧化、双面抛光双面氧化;
 类型: N型、P型、非掺杂高阻;
 电阻率: <0.0015~1等低阻区、1-10Ω.cm中阻区、>1000~10000高阻区;
 工艺:热氧化工艺,也可PECVD加工 ;
 应用: 刻蚀钝化层、金属打线测试、电性绝缘层、涂胶、器件层等。
 供货能力:大量现货、参数齐全;
 订制能力: 各种参数均可订制。









上图:不同尺寸、不同膜厚的氧化硅片展示图


下表:技术参数规格

直径

2英寸

3英寸

4英寸(5英寸)

6英寸

8英寸(12英寸)

导电类型

P,N,U n

P,N,U n

P,N,U n

P,N,U n

P,N

晶向

<100>,<111>

<100>,<111>

<100>,<111>

<100>,<111>

<100>

厚度(um

200,280,400,500,as required

380,>100,as required

450,500,525,>25,as required

625,650,675,as required

650,700,725,775,as required

表面

单抛双面氧化,
双抛双面氧化

单抛双面氧化,
双抛双面氧化

单抛双面氧化,
单抛单面氧化,
双抛双面氧化

单抛双面氧化,
双抛双面氧化

单抛双面氧化,
双抛双面氧化

氧化层SiO2厚度

300nm,500nm,1um,6um,
as required

100nm,200nm,300nm,2um,
as required

25nm,50nm,100nm,150nm,200nm,300nm,500nm,1um,2um,3um,5um,6um,
as required

100nm,200nm,300nm,500nm,1um,2um,3um,8um,as required

300nm,500nm,2um,as required

电阻率(Ω.cm

<0.0015~1,1-100,>5000,>10000

<0.0015~1,1-100,>5000,>10000

<0.0015~1,1-100,>5000,>10000

<0.0015~1,1-100,>5000,>10000

<0.0015~1,1-100

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