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北京特博万德科技

单晶硅片

北京特博万德加工、供应各种类型单晶硅片,以及苛刻要求的高质量硅片。

 生长方式:直拉(CZ)、MCZ等;

 尺寸:1”,2”, 3”,4”,5”,6”,8”,12”和特殊非标直径及异形硅片;
 表面:单抛、双抛、研磨等;
 晶向:<100>、<111>、<110>晶向及偏角度和特殊晶向;
 厚度:
超薄25um50um100um200um等,常用厚度:280um-1mm厚:>1mm

 导电类型:N型、P型、本征半绝缘;

 电阻率:重掺杂<0。0015Ω。cm,轻掺杂1~100Ω。cm,非掺>1000~>20000Ω。cm;

 用途:各种指标,满足各种应用。如:PVD/CVD/热氧化/氮化等镀膜用衬底;磁控溅射生长样品;分子束外延生长的基底;SEM扫描电镜、透射电镜、原子力AFM、拉曼光谱、红外光谱、荧光光谱等分析测试基底;X射线分析;刻蚀、键和、光学透过、透镜、器件等;

 工艺:可加工氧化、 氮化、镀金属膜(银Ag、金Au、铂Pt、铜Cu、钛Ti、镍Ni);
 供货能力:大量库存现货,种类齐全,当天发货!
 加工能力:各种规格可加工,为客户量身定制!工期短!


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商品描述

北京特博万德加工、供应各种类型单晶硅片,以及苛刻要求的高质量硅片。

 生长方式:直拉(CZ)、MCZ等;

 尺寸:1”,2”, 3”,4”,5”,6”,8”,12”和特殊非标直径及异形硅片;
 表面:单抛、双抛、研磨等;
 晶向:<100>、<111>、<110>晶向及偏角度和特殊晶向;
 厚度:
超薄25um50um100um200um等,常用厚度:280um-1mm厚:>1mm

 导电类型:N型、P型、本征半绝缘;

 电阻率:重掺杂<0.0015Ω.cm,轻掺杂1~100Ω.cm,非掺>1000~>20000Ω.cm;

 用途:各种指标,满足各种应用。如:PVD/CVD/热氧化/氮化等镀膜用衬底;磁控溅射生长样品;分子束外延生长的基底;SEM扫描电镜、透射电镜、原子力AFM、拉曼光谱、红外光谱、荧光光谱等分析测试基底;X射线分析;刻蚀、键和、光学透过、透镜、器件等;

 工艺:可加工氧化、 氮化、镀金属膜(银Ag、金Au、铂Pt、铜Cu、钛Ti、镍Ni);
 供货能力:大量库存现货,种类齐全,当天发货!
 加工能力:各种规格可加工,为客户量身定制!工期短!






单晶硅棒
1-12寸单晶硅片 超薄硅片 超厚硅片

生长方式

区熔(FZ)、中子辐照区熔(NTDFZ)等

直径

2英寸3英寸

4英寸5英寸

6英寸

8英寸

12英寸

晶向

<100><111>

<100><111><110>特殊晶向

<100><111>

<100><111>

<100>

厚度(um

>50,280,400,500,1000,2000,
as required

200,450,500,525,1000,2000,3000,5000,
as required

625,650,675,1000,1500,
as required

650,700,725,1200,1500,
as required

700,775,as required

电阻率(Ω.cm

<1,>1,>100,>1000,>10000,>20000 
as required

<1,>1,>100,>1000,>10000,>20000 
as required

<1,>1,>100,>1000,>10000,>20000 
as required

>1,>100,>1000,>10000 
as required

>1,>100,>1000,>10000
as required

TTVum

<10,<5,<3

<10,<5,<3

<10,<5,<3

<10,<5,<3

<10,<5

Bowum

<20

<20

<30

<40

<50

Warpum

<20

<20

<30

<40

<50

粗糙度(n m

<0.2

<0.2

<0.2

<0.2

<0.2

颗粒度

<10@0.3

<10@0.3

<10@0.3

<20@0。2

<20@0。3



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