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北京特博万德科技

FZ区熔高阻硅片

北京特博万德加工、供应各种类型高阻硅片,以及苛刻要求的高质量硅片。

 生长方式:区熔(FZ)、中子辐照区熔(NTDFZ)等;

 尺寸:1”,2”, 3”,4”,5”,6”,8”,12”和特殊非标直径及异形硅片;
 表面:单抛、双抛、研磨等;
 晶向:<100>、<111>、<110>晶向及偏角度和特殊晶向;
 厚度:
超薄25um、50um、100um、200um等,常用厚度:280um-1mm;超厚:1mm、2mm、5mm等;

 导电类型:非掺杂半绝缘;
 电阻率:>1Ω.cm,>1000Ω.cm,>3000Ω.cm, >5000Ω.cm, >10000Ω.cm,> 20000 Ω.cm;
 用途:红外光学、太赫兹领域;整流器、场效应管、功率集成电路、射频、超高压二极管、传感器等;
 工艺:可加工氧化、 氮化、镀金属膜(银Ag、金Au、铂Pt、铜Cu、钛Ti、镍Ni);
 供货能力:大量库存现货,种类齐全,当天发货!
 加工能力:各种规格可加工,为客户量身定制!工期短!

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商品描述

北京特博万德加工、供应各种类型高阻硅片,以及苛刻要求的高质量硅片。

 生长方式:区熔(FZ)、中子辐照区熔(NTDFZ)等;

 尺寸:1”,2”, 3”,4”,5”,6”,8”,12”和特殊非标直径及异形硅片;
 表面:单抛、双抛、研磨等;
 晶向:<100>、<111>、<110>晶向及偏角度和特殊晶向;
 厚度:
超薄25um、50um、100um、200um等,常用厚度:280um-1mm;超厚:1mm、2mm、5mm等;

 导电类型:非掺杂半绝缘;
 电阻率:>1Ω.cm,>1000Ω.cm,>3000Ω.cm, >5000Ω.cm, >10000Ω.cm,> 20000 Ω.cm;
 用途:红外光学、太赫兹领域;整流器、场效应管、功率集成电路、射频、超高压二极管、传感器等;
 工艺:可加工氧化、 氮化、镀金属膜(银Ag、金Au、铂Pt、铜Cu、钛Ti、镍Ni);
 供货能力:大量库存现货,种类齐全,当天发货!
 加工能力:各种规格可加工,为客户量身定制!工期短!





高阻硅棒 透过曲线图 太赫兹曲线图
XRD图

直径

2英寸3英寸

4英寸5英寸

6英寸

8英寸

12英寸

晶向

<100><111>

<100><111><110>特殊晶向

<100><111>

<100><111>

<100>

厚度(um

>50,280,400,500,1000,2000,as required

200,450,500,525,1000,2000,3000,5000,
as required

625,650,675,1000,1500,as required

650,700,725,1200,1500,
as required

700,775,as required

电阻率(Ω。cm

<1,>1,>100,>1000,>10000,>20000 
as required

<1,>1,>100,>1000,>10000,>20000 
as required

<1,>1,>100,>1000,>10000,>20000 
as required

>1,>100,>1000,>10000
 as required

>1,>100,>1000,>10000
as required

TTVum

<10,<5,<3

<10,<5,<3

<10,<5,<3

<10,<5,<3

<10,<5

Bowum

<20

<20

<30

<40

<50

Warpum

<20

<20

<30

<40

<50

粗糙度(n m

<0.2

<0.2

<0.2

<0.2

<0.2

颗粒度

<10@0.3

<10@0.3

<10@0.3

<20@0.2

<20@0.3


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