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北京特博万德科技

低应力氮化硅片

北京特博万德加工、销售 氮化硅片,大量现货。
尺寸: 2,3,4,6英寸;
 工艺: LPCVD;LPCVD具有均匀性好,应力低,成膜质量好等优点,成本也较高;
 氮化厚度:50nm、80nm、100nm、120nm、200nm、300nm、500nm、800nm、1um甚至更厚;
 表面:单面抛光双面氮化、单面抛光单面氮化、双面抛光双面氮化;
 硅片厚度:200um,500um等多种厚度;
 应用:钝化膜、绝缘层、扩散掩膜。硅中的氮能提高硅单晶的强度,防止硅片翘曲,并能抑制微缺陷形成。用于半导体光刻、纳米压印、PVD/CVD镀膜、MEMS、半导体器件等领域;
 供货能力:大量现货、参数齐全;当天出库;
 订制能力: 各种参数均可订制。

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商品描述

北京特博万德加工、销售 氮化硅片,大量现货。
尺寸: 2,3,4,6英寸;
 工艺: LPCVD;LPCVD具有均匀性好,应力低,成膜质量好等优点,成本也较高;
 氮化厚度:50nm、80nm、100nm、120nm、200nm、300nm、500nm、800nm、1um甚至更厚;
 表面:单面抛光双面氮化、单面抛光单面氮化、双面抛光双面氮化;
 硅片厚度:200um,500um等多种厚度;
 应用:钝化膜、绝缘层、扩散掩膜。硅中的氮能提高硅单晶的强度,防止硅片翘曲,并能抑制微缺陷形成。用于半导体光刻、纳米压印、PVD/CVD镀膜、MEMS、半导体器件等领域;
 供货能力:大量现货、参数齐全;当天出库;
 订制能力: 各种参数均可订制。













上图:不同膜厚的氮化硅片展示图


下表:技术参数规格

直径

2英寸

3英寸

4英寸

6英寸

导电类型

P,N

P,N

P,N,U n

P,N,U n

晶向

<100>

<100>

<100>

<100>

厚度(um

400,500 as required

200,380 as required

200,300,450,380,500,525 as required

625 as required

表面

单抛双面氮化,

双抛双面氮化

单抛双面氮化,

双抛双面氮化

单抛双面氮化,

单抛单面氮化,

双抛双面氮化

单抛双面氮化

氮化层SiN厚度

200nm,500nm,1um as required

>50nm as required

50nm,100nm,150nm,200nm,300nm,400nm,500nm,800nm,1um  as required

100nm,120nm  as required

电阻率(Ω.cm

<0.0015~1,1-100,

高阻>5000,>10000

<0.0015~1,1-100

<0.0015~1,1-100,

高阻>5000,>10000

<0.0015~1,1-100,

高阻>5000


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