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北京特博万德科技

外延硅片

北京特博万德提供3-8英寸硅外延片。
掺杂类型和晶向:P100,P111,N100,N111;
 类型:P/P++, N/N++,N/N+, N/N+/N++,N/P/P,P/N/N+;
 外延厚度:0.1-100um;
 外延电阻率:0.001-100Ω.cm;
可加工定制,详情请电联!

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商品描述

北京特博万德提供3-8英寸硅外延片。
掺杂类型和晶向:P100,P111,N100,N111;
 类型:P/P++, N/N++,N/N+, N/N+/N++,N/P/P,P/N/N+;
 外延厚度:0.1-100um;
 外延电阻率:0.001-100Ω.cm;
可加工定制,详情请电联!


一、硅外延的定义

硅外延工艺实际上是一种薄层的单晶生长技术,它是在一定的条件下,在硅单晶的衬底片上,沿单晶的结晶方向生长一层具有一定导电类型,电阻率、厚度、晶格结构与体单晶一致的新单晶层。

二、硅外延生长工艺的优点

1、 生长温度比它本身的熔点要低;
2、 可以获得纯度高、缺陷少的单晶薄层;
3、 由于掺杂工艺灵活,可以获得多种结构的单晶或多层外延便于器件参数结构的调整。

三、硅外延工艺的分类

1、 按结构分类

   同质外延——即外延层在结构与性质上与衬底材料相同,例如N/N+,P/P+
   异质外延——即外延层在结构与性质上与衬底材料不同,例:SOI(绝缘衬底上外延)
2、 按外延层的厚度和电阻率分类
  厚度和电阻率均可按客户要求精确控制。
3、 按外延生长方法分类
  直接法——不经过中间化学反应,硅原子直接从源转移到衬底片上形成外延层,例:真空溅射法,分子束外延(物理法)液相外延等等;
  间接法——通过还原或分解硅化合物得到所需要的硅原子,然后在衬底上淀积形成外延层,我们的硅外延就属于间接生长工艺。

四、硅外延的基本原理

硅化学气相沉积外延生长其原理是在高温(>1100℃)的衬底上输送硅化合物(SiHCl3SiCl4SiH2Cl2等)利用氢(H2)在衬底上通过还原反应析出硅方法。
气相外延生长过程包括:
1)反应剂(SiCl4SiHCl3+H2)气体混合物质量转移到衬底表面;
2)吸收反应剂分子在表面上(反应物分子穿过附面层向衬底表面迁移);
3)在表面上进行反应得到硅原子及其副产物;
4)释放出副产物分子;
5)副产物分子向主气流质量转移;(排外)
6)硅原子先在生长层表面形成原子集团——晶核,接着加接到晶核上,使晶核增大,形成新的晶面。

Certificate

Substrate

Epi

Diameter (mm)

Φ76.2+/-0.5

Type/Dopant

N/PH

Type/Dopant

P/Boron

Epi ResistivityΩ.cm 

0.003-0。005

Orientation

<111>

Epi Thickness(µm)

25-30

Thicknessµm )

355-407

Surface

Good

ResistivityΩ.cm 

0.004-0.008

Qty

25PCS

Part No:

M-72T-。004

EPI RUN NO: 3N119C2WX001


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