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北京特博万德科技

砷化镓晶片GaAs

北京特博万德科技乐盈彩票注册专业生产定制高质量砷化镓衬底片GaAs wafer、多晶棒。
尺寸:1 " ,2" ,3",4",6" ;
 晶向:(100),(111)和偏2°、4°、6°、10°、16°等各种偏角;
 类型:N- type 掺Si, P- type 掺Zn,半绝缘Undope;
 厚度:100um、120um、350um、400um、500um、600um、625um;

 提供“激光领域” 用高质量 超薄双抛GaAs ;提供光学透过可用的双抛半绝缘GaAs ;
 提供高质量低位错的EPD<500、<300、<100、<50 的高质量LD级外延用GaAs;
 工艺加工:镀增透膜、镀金等欧姆接触、砷化镓电池、砷化镓外延(PN结、LED各色外延、LD激光器)。


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商品描述

北京特博万德科技乐盈彩票注册专业生产定制高质量砷化镓衬底片GaAs wafer、多晶棒。
尺寸:1 " ,2" ,3",4",6" ;
 晶向:(100),(111)和偏2°、4°、6°、10°、16°等各种偏角;
 类型:N- type 掺Si, P- type 掺Zn,半绝缘Undope;
 厚度:100um、120um、350um、400um、500um、600um、625um;

 提供“激光领域” 用高质量 超薄双抛GaAs ;提供光学透过可用的双抛半绝缘GaAs ;
 提供高质量低位错的EPD<500、<300、<100、<50 的高质量LD级外延用GaAs;
 工艺加工:镀增透膜、镀金等欧姆接触、砷化镓电池、砷化镓外延(PN结、LED各色外延、LD激光器)。



Parameter

Guaranteed / Actual Values

UOM

Parameter

Guaranteed / Actual Values

UOM

Growth Method:

VGF

 

Growth Method:

VGF

 

Conduct Type:

S-I-N

 

Conduct Type:

S-I-N

 

Dopant:

Undoped

 

Dopant:

Undoped

 

Diameter:

50.7± 0.1

mm

Diameter:

100.0± 0.2

mm

Orientation:

(100)± 0.50

 

Orientation:

(100)± 0.30

 

OF location/length:

EJ [ 0-1-1]± 0。50/16±1

 

OF location/length:

EJ [ 0-1-1]± 0.50/32.5±1

 

IF location/length:

EJ [ 0-1 1 ]± 0.50/7±1

 

IF location/length:

EJ [ 0-1 1 ]± 0.50/18±1

 

Resistivity:

Min: 1.0 E8

Max: 2.2 E8

Ω·cm

Resistivity:

Min: 1.5 E8

Max: 2.0 E8

Ω·cm

Mobility:

Min: 4500

Max: 5482

cm2/v.s

Mobility:

Min: 4832

Max: 4979

cm2/v.s

EPD:

Min: 700

Max: 800

/ cm2

EPD:

Min: 600

Max: 700

/ cm2

Thickness:

350± 20

µm

Thickness:

625± 25

µm

Edge Rounding:

0。25

mmR

Edge Rounding:

0.375

mmR

Laser Marking:

N/A

 

 

 

 

TTV/TIR:

Max: 10

µm

TTV/TIR:

Max: 3

µm

BOW:

Max: 10

µm

BOW:

Max: 4

µm

Warp:

Max: 10

µm

Warp:

Max: 5

µm

Partical  Count:

50/wafer(for particle>0。3um)

 

Partical  Count:

100/wafer(for particle>0.3um)

 

Surface Finish– front:

Polished  

 

Surface Finish– front:

Polished  

 

Surface Finish –back:

Etched

 

Surface Finish –back:

Polished

 

Epi-Ready:

Yes

 

Epi-Ready:

Yes

Parameter

Actual Values

UOM

Parameter

Guaranteed / Actual Values

UOM

Growth Method

VGF

 

Growth Method

VGF

 

Conduct Type

S-C-N

 

Conduct Type

S-C-P

 

Dopant

GaAs-Si

 

Dopant

GaAs-Zn

 

Diameter

50.7± 0.1

mm

Diameter

76。2± 0。3

mm

Orientation

(100) 20 ± 0.50 off toward(011)

 

Orientation

(100)± 0.50

 

OF location/length

EJ [ 0-1-1]± 0。50/16±1

  

OF location/length

EJ [ 0-1-1]± 0.50/22±1

  

IF location/length

EJ [ 0-1 1 ]± 0.50/ 7±1

         

IF location/length

EJ [ 0-1 1 ]± 0.50/12±1

         

Ingot CC

Min: 0.518 E  Max: 1.7 E+18

/cm3

Ingot CC

Min: 5。1 E+19  Max: 5.8 E+19

/cm3

Resistivity

Min: 1.9 E-3  Max:6.1E-3

Ω·cm

Resistivity

Min: N/A

Ω·cm

Mobility

Min: 1913    Max:2616

cm2/v.s

Mobility

Min: 71    Max: 72

cm2/v.s

EPD

Min:50      Max: 100

/ cm2

EPD

Min: 600   Max: 800

/cm2

Thickness

350±20

µm

Thickness

625±20

µm

Edge Rounding

0。25

mmR

Edge Rounding

0.25

mmR

Laser Marking

N/A

 

Laser Marking

Front side

 

TTV

10

µm

TTV

15

µm

TIR

10

µm

TIR

15

µm

BOW

10

µm

BOW

15

µm

Warp

10

µm

Warp

15

µm

Surface Finish– front

Polished   

 

Surface Finish– front

Polished   

 

Surface Finish –back

Etched

 

Surface Finish –back

Polished  

 

Partical Count

50/ wafer for particle0.3µm)

 

Partical Count

50/ wafer for particle0.3µm2)

 

Epi-Ready

Yes

 

Epi-Ready

Yes


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