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砷化铟晶片InAs

北京特博万德供应砷化铟InAs 晶片。
尺寸:2,3英寸;
 阐述:
InAs晶体具有较高的电子迁移率和迁移率比值(μe/μh=70),低的磁阻效应和小的电阻温度系数,是制造霍耳器件和磁阻器件的理想材料。
InAs的发射波长3.34μm,在InAs衬底上能生长晶格匹配的In-GaAsSb、InAsPSb和InAsSb多元外延材料,可制造2~4μm波段的光纤通信用的激光器和探测器。

 应用:InAs可以生长InAsSb/InAsPSb、nAsPSb等异质结构材料,制作波长2-12μm的红外发光器件。

用InAs单晶衬底还可以外延生长InAsPSb超晶格结构材料,制作中红外量子级联激光器。这些红外器件在气体检测、低损耗光纤通信领域有良好的应用前景。此外,InAs单晶具有很高的电子迁移率,是一种制作Hall器件的理想材料。



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商品描述

北京特博万德供应砷化铟InAs 晶片。
尺寸:2,3英寸;
 阐述:
InAs晶体具有较高的电子迁移率和迁移率比值(μe/μh=70),低的磁阻效应和小的电阻温度系数,是制造霍耳器件和磁阻器件的理想材料。
InAs的发射波长3.34μm,在InAs衬底上能生长晶格匹配的In-GaAsSb、InAsPSb和InAsSb多元外延材料,可制造2~4μm波段的光纤通信用的激光器和探测器。

 应用:InAs可以生长InAsSb/InAsPSb、nAsPSb等异质结构材料,制作波长2-12μm的红外发光器件。

用InAs单晶衬底还可以外延生长InAsPSb超晶格结构材料,制作中红外量子级联激光器。这些红外器件在气体检测、低损耗光纤通信领域有良好的应用前景。此外,InAs单晶具有很高的电子迁移率,是一种制作Hall器件的理想材料。




Growth Method

VGF

Type/Dopant

Un

N/S/Sn

P/Zn

Diameter

2inch/3inch/4inch

Orientation

100/111

Surface

Polished/Etched

Epi-ready

Yes

Package

single

 

Size

2inch

3inch

4inch

Diametermm

50。8±0。3

76。2±0。3

100±0.3

Thickness(um)

500±25

600±25

800±25

OF(mm)

16±2

22±2

32。5±2

IF(mm)

8±2

12±2

18±2

TTV(um)

<10

<10

<15

BOW(um)

<10

<10

<15

Warp(um)

<15

<15

<15

 

Electrical parameters

Dopant

Conduct Type

Ingot CC(/cm3)

Mobility (cm2/v。s)

Resistivity (Ω·cm)

EPD(/cm3)

Undoped

N

5E16

3E4

/

<5E4

S-InAs

N

1~10E17

0。6~2E4

/

<5E4

Sn-InAs

N

5~20E17

(0.7~2) E4

/

<5E4

Zn-InAs

P

(1~10E18

100~400

/

<5E4


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