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磷化镓晶片GaP

北京特博万德提供2寸111晶向磷化镓InP晶片。可提供双抛。

磷化镓的晶体结构为闪锌矿型,化学键是以共价键为主的混合键,属于间接跃迁型半导体。磷化镓与其他宽带隙Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体(如GaAS、 InP)相同,可通过引入深中心使费米能级接近带隙中部,如掺入等杂质元素可成为半绝缘材料,是LED主要衬底材料之一。

磷化镓外延材料是在磷化镓单晶衬底上通过液相外延或汽相外延加扩散生长的方法制得。多用于制造发光二极管。液相外延材料可制造红色、黄绿色、纯绿色光的发光二极管,汽相外延加扩散生长的材料,可制造黄色、黄绿色光的发光二极管。


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商品描述

北京特博万德提供2寸111晶向磷化镓InP晶片。可提供双抛。

磷化镓的晶体结构为闪锌矿型,化学键是以共价键为主的混合键,属于间接跃迁型半导体。磷化镓与其他宽带隙Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体(如GaAS、 InP)相同,可通过引入深中心使费米能级接近带隙中部,如掺入等杂质元素可成为半绝缘材料,是LED主要衬底材料之一。

磷化镓外延材料是在磷化镓单晶衬底上通过液相外延或汽相外延加扩散生长的方法制得。多用于制造发光二极管。液相外延材料可制造红色、黄绿色、纯绿色光的发光二极管,汽相外延加扩散生长的材料,可制造黄色、黄绿色光的发光二极管。



Growth Method

LEC

Type/Dopant

Un

N/S

P/Te

Diameter

2inch

Orientation

111

Surface

Polished/Etched

Package

 single

Size

2inch

Diametermm

50.8±0.3

Thickness(um)

250±25, 280±25

OF(mm)

16±2

Electrical parameters

Dopant

Conduct Type

Ingot CC (/cm3)

Mobility (cm2/v。s)

Resistivity (Ω·cm)

EPD(/cm3)

Un

N

0.9-3E17

>100

/

≤3×E5

S- GaP

N

2-7E17

>100

/

≤3×E5

Te- GaP

P

2-7E17

>100

/

≤3×E5


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