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氮化镓晶片GaN

北京特博万德供应纯GaN氮化镓晶片。
尺寸10*10.5mm,更大尺寸也可供应。
GaN氮化镓晶片常用于发光二极管的二元III / V直接带隙半导体。该化合物是一种非常坚硬的材料,具有纤锌矿晶体结构。其3.4 eV的宽带隙为光电,高功率和高频器件的应用提供了特殊的性能。例如,GaN是使紫色(405nm)激光二极管成为可能的基板,而不使用非线性光学倍频。它对电离辐射的敏感性很低(与其他III族氮化物一样),使其成为卫星太阳能电池阵列的合适材料。由于设备在辐射环境中表现出稳定性,因此军事和太空应用也可能受益。由于GaN晶体管可以在更高的温度下工作,并且工作电压比砷化镓(GaAs)晶体管高得多,因此它们可以在微波频率下制造理想的功率放大器。此外,GaN为THz器件提供了有前景的特性。

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商品描述

北京特博万德供应纯GaN氮化镓晶片。
尺寸10*10.5mm,更大尺寸也可供应。
GaN氮化镓晶片常用于发光二极管的二元III / V直接带隙半导体。该化合物是一种非常坚硬的材料,具有纤锌矿晶体结构。其3.4 eV的宽带隙为光电,高功率和高频器件的应用提供了特殊的性能。例如,GaN是使紫色(405nm)激光二极管成为可能的基板,而不使用非线性光学倍频。它对电离辐射的敏感性很低(与其他III族氮化物一样),使其成为卫星太阳能电池阵列的合适材料。由于设备在辐射环境中表现出稳定性,因此军事和太空应用也可能受益。由于GaN晶体管可以在更高的温度下工作,并且工作电压比砷化镓(GaAs)晶体管高得多,因此它们可以在微波频率下制造理想的功率放大器。此外,GaN为THz器件提供了有前景的特性。


Conduct Type

Semi-Insulating

N

N

Type/Dopant

Fe

Ge

Undoped

Size

10*10.5 mm50.8± 0.1 mm

Orientation

C-plane (0001) off angle toward M-Axis0.35°±0.15°  

Total Thickness

350 ± 25 µm

Surface front

Polished

OF location/length

(1-100) ± 0。5°/16。0 ± 1。0 mm

IF location/length

(11-20) ± 3°/ 8。0 ± 1。0 mm

Resistivity300K

>1E6 ohm·cm

<0.05 Ω·cm

<0.5 Ω·cm

EPD

(1~9)E5/ cm2

5E5~3E6/ cm2

1~3E6/ cm2

Ingot CC

>6E16/cm3

Ra(nm)

Front surface Ra<0.2nm

TTV(um)

<15

BOW(um)

<20

Warp(um)

<20

Epi-ready

Yes

Package

Single in 100 class room


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