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碳化硅晶片SiC

北京特博万德供应2,3,4,6英寸,切割小块的SiC碳化硅晶片。
碳化硅(SiC)是一种性能优越的新型化合物半导体材料。碳化硅半导体具有大禁带宽度(约为硅的3倍)、高临界场强(约为硅的10倍)、高热导率(约为硅的3倍)等优良特性,是制作高温、高频和大功率电力电子器件(电力芯片)的理想半导体材料。同时,也是仅次于钻石的优良的半导体材料。

目前我们还提供标准的2英寸、3英寸、4英寸和6英寸碳化硅外延晶片,用于肖特基二极管(SBD)、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)、结型场效应晶体管(JFET)和双极结型晶体管(BJT)的制作。这些电力电子器件可广泛应用于包括太阳能逆变器、风力发电、混合动力及电动汽车等绿色能源和节能系统。


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商品描述

北京特博万德供应2,3,4,6英寸,切割小块的SiC碳化硅晶片。
碳化硅(SiC)是一种性能优越的新型化合物半导体材料。碳化硅半导体具有大禁带宽度(约为硅的3倍)、高临界场强(约为硅的10倍)、高热导率(约为硅的3倍)等优良特性,是制作高温、高频和大功率电力电子器件(电力芯片)的理想半导体材料。同时,也是仅次于钻石的优良的半导体材料。

目前我们还提供标准的2英寸、3英寸、4英寸和6英寸碳化硅外延晶片,用于肖特基二极管(SBD)、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)、结型场效应晶体管(JFET)和双极结型晶体管(BJT)的制作。这些电力电子器件可广泛应用于包括太阳能逆变器、风力发电、混合动力及电动汽车等绿色能源和节能系统。



等级 Grade

工业级Production

研究级Research grade

试片级Dummy Grade

直径

50.8 mm±0.38 mm2英寸

厚度

330 μm±25μm

晶片方向

On axis  <0001>±0.5° for 6H-N/4H-N/4H-SI/6H-SI

Off axis4.0° toward 1120±0.5° for 4H-N/4H-SI

微管密度cm-2

≤5

≤15

≤50

 

电阻率(Ω·cm)

 4H-N

0.015~0.028 Ω·cm

6H-N

0。02~0。1

4/6H-SI

>1E5

(90%) >1E5

主定位边方向

{10-10}±5。0°

主定位边长度 (mm)

15.9 ±1.7

次定位边长度 (mm)

8.0 ±1.7

次定位边方向

Silicon face up 90° CW. from Prime flat ±5.0°

边缘

1 mm

TTV/Bow /Warp (um)

≤15 /≤25 /≤25

表面粗糙度

Polish Ra≤1 nm

CMP Ra≤0。5 nm

裂纹(强光灯观测) #

None

None

1 allowed ≤1 mm

六方空洞(强光灯观测)*

Cumulative area≤1 %

Cumulative area≤1 %

Cumulative area≤3 %

多型(强光灯观测)*

None

Cumulative area≤2 %

Cumulative area≤5%

划痕(强光灯观测)*

3 scratches to 1×wafer diameter cumulative length

5 scratches to 1×wafer diameter cumulative length

8 scratches to 1×wafer diameter cumulative length

崩边#

None

3 allowed≤0.5 mm each

5 allowed≤1 mm each

表面污染物(强光灯观测)

None


等级 Grade

工业级Production

研究级Research grade

试片级Dummy Grade

直径 76。2±0。38mm(3英寸)

厚度

350 μm±25μm

晶片方向

On axis  <0001>±0。5° for 6H-N/4H-N/4H-SI/6H-SI

Off axis4.0° toward 1120±0.5° for 4H-N/4H-SI

微管密度cm-2

≤5

≤15

≤50

 

电阻率(Ω·cm)

 4H-N

0。015~0。028 Ω·cm

6H-N

0.02~0.1

4/6H-SI

>1E5

(90%) >1E5

主定位边方向

{10-10}±5.0°

主定位边长度 (mm)

22。2 mm±3。2 mm

次定位边长度 (mm)

11.2 mm±1.5 mm

次定位边方向

Silicon face up 90° CW. from Prime flat ±5.0°

边缘

2 mm

TTV/Bow /Warp (um)

≤15 /≤25 /≤35

表面粗糙度

Polish Ra≤1 nm

CMP Ra≤0.5 nm

裂纹(强光灯观测) #

None

1 allowed≤1 mm

1 allowed ≤2 mm

六方空洞(强光灯观测)*

Cumulative area≤1 %

Cumulative area≤1 %

Cumulative area≤3 %

多型(强光灯观测)*

None

Cumulative area≤2 %

Cumulative area≤5%

划痕(强光灯观测)*

3 scratches to1×wafer diameter cumulative length

5 scratches to 1×wafer diameter cumulative length

8 scratches to 2×wafer diameter cumulative length

崩边#

None

3 allowed≤0。5 mm each

5 allowed,≤1 mm each

表面污染物(强光灯观测)

None



等级 Grade

工业级Production

研究级Research grade

试片级Dummy Grade

直径

100±0。5mm(4英寸)

厚度

350 μm±25μm

晶片方向

On axis  <0001>±0。5° for 6H-N/4H-N/4H-SI/6H-SI

Off axis4。0° toward 1120±0。5° for 4H-N/4H-SI

微管密度cm-2

≤5

≤15

≤50

 

电阻率(Ω·cm)

 4H-N

0.015~0.028 Ω·cm

6H-N

0.02~0.1

4/6H-SI

>1E5

(90%) >1E5

主定位边方向

{10-10}±5.0°

主定位边长度 (mm)    

32。5±2。5mm

次定位边长度 (mm)                                           

18。0±2mm

次定位边方向

Silicon face up 90° CW. from Prime flat ±5.0°

边缘

3mm

TTV/Bow /Warp (um)

≤15 /≤25 /≤40

表面粗糙度

Polish Ra≤1 nm

CMP Ra≤0。5 nm

裂纹(强光灯观测) #                               

None

1 allowed≤2 mm

Cumulative length ≤ 10mmsingle length≤2mm

六方空洞(强光灯观测)*

Cumulative area≤1 %

Cumulative area≤1 %

Cumulative area≤3 %

多型(强光灯观测)*

None

Cumulative area≤2 %

Cumulative area≤5%

划痕(强光灯观测)*

3 scratches to1×wafer diameter cumulative length

5 scratches to 1×wafer diameter cumulative length

5scratches to 1×wafer diameter cumulative length

崩边#

None

3 allowed≤0.5 mm each

5 allowed,≤1 mm each

表面污染物(强光灯观测)

None



等级 Grade

工业级Production

研究级Research grade

试片级Dummy Grade

直径 150±2.0mm(6英寸)

厚度

350 μm±25μm

晶片方向

On axis  <0001>±0。5° for 6H-N/4H-N/4H-SI/6H-SI

Off axis4.0° toward 1120±0.5° for 4H-N/4H-SI

微管密度cm-2

≤5

≤15

≤50

 

电阻率(Ω·cm)

 4H-N

0.015~0.028 Ω·cm



4/6H-SI

>1E5

主定位边方向

{10-10}±5。0°

主定位边长度 (mm)

47.5 mm±2.5 mm

边缘

3mm

TTV/Bow /Warp (um)

≤15 /≤40 /≤60

表面粗糙度

Polish Ra≤1 nm

CMP Ra≤0。5 nm

裂纹(强光灯观测) #

None

1 allowed≤2 mm

Cumulative length ≤ 10mmsingle length≤2mm

六方空洞(强光灯观测)*

Cumulative area≤1 %

Cumulative area≤2 %

Cumulative area≤5%

多型(强光灯观测)*

None

Cumulative area≤2 %

Cumulative area≤5%

划痕(强光灯观测)*

3 scratches to1×wafer diameter cumulative length

5 scratches to 1×wafer diameter cumulative length

5scratches to 1×wafer diameter cumulative length

崩边#

None

3 allowed≤0.5 mm each

5 allowed≤1 mm each

表面污染物(强光灯观测)

None



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