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电子束蒸发/磁控溅射/RIE等离子刻蚀/PECVD沉积系统

美国Torr托尔公司,成立于1989年,公司的创始人来自美国NASA项目组,有着丰富的经验背景。
公司主要产品包括热蒸发系统、电子束蒸发系统、磁控溅射仪、离子刻蚀机(RIE ICP-RIE)、等离子化学气相沉积PECVD、原子层沉积ALD和离子束沉积IBD等。

托尔公司是专业的薄膜沉积和刻蚀设备制造商,服务于科研和工业应用领域。在美国,托尔公司的产品深受一些知名大学像UCLA、Berkeley和Columbia等和很多世界500强公司像IBM、Boeing和Texas Insturments National Semiconductor等的青睐。
公司产品更是远销到欧洲、俄罗斯、中国、日本、韩国等世界各地。
特别是托尔公司的蒸发、溅射和刻蚀联合系统,集多种功能于一身,加上无以匹敌的价格优势,可以预见在未来几年托尔产品将会不可抗拒的占据中国的高校和科研市场。托尔公司可以按照客户要求定制各种多功能联合系统。


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商品描述

美国Torr托尔公司,成立于1989年,公司的创始人来自美国NASA项目组,有着丰富的经验背景。
公司主要产品包括热蒸发系统、电子束蒸发系统、磁控溅射仪、离子刻蚀机(RIE ICP-RIE)、等离子化学气相沉积PECVD、原子层沉积ALD和离子束沉积IBD等。

托尔公司是专业的薄膜沉积和刻蚀设备制造商,服务于科研和工业应用领域。在美国,托尔公司的产品深受一些知名大学像UCLA、Berkeley和Columbia等和很多世界500强公司像IBM、Boeing和Texas Insturments National Semiconductor等的青睐。
公司产品更是远销到欧洲、俄罗斯、中国、日本、韩国等世界各地。
特别是托尔公司的蒸发、溅射和刻蚀联合系统,集多种功能于一身,加上无以匹敌的价格优势,可以预见在未来几年托尔产品将会不可抗拒的占据中国的高校和科研市场。托尔公司可以按照客户要求定制各种多功能联合系统。



美国Torr—蒸发/溅射薄膜沉积与刻蚀设备

-------------------真正买得起的高端产品 -- 科研用户不二的选择----------------

  • 美国Torr介绍


       美国Torr托尔公司位于美国纽约市,成立于1989年,公司的创始人来自美国NASA项目组,有着丰富的经验背景。
       托尔公司是专业的薄膜沉积和刻蚀设备制造商,服务于科研和工业应用领域。特别是托尔公司的蒸发、溅射和刻蚀联合系统,集多种功能于一身,加上无以匹敌的价格优势,可以预见在未来几年托尔产品将会不可抗拒的占据中国的高校和科研市场。托尔公司可以按照客户要求定制各种多功能联合系统。

       超过25年的设计和制造经验,产品从结构设计到使用的便利性近乎完美,深受广大用户的欢迎。在美国,托尔公司的产品深受一些知名大学像UCLA、Berkeley和Columbia等和很多世界500强公司像IBM、Boeing和Texas Insturments National Semiconductor等的青睐。公司产品更是远销到欧洲、俄罗斯、中国、日本、韩国等世界各地。

  • 公司产品系列


       公司主要产品包括热蒸发系统、电子束蒸发系统、磁控溅射仪、离子刻蚀机(RIE ICP-RIE)、等离子化学气相沉积PECVD、原子层沉积ALD和离子束沉积IBD等。

值得一提的是托尔公司的蒸发、溅射和刻蚀联合系统,集多种功能于一身,加上无以匹敌的价格优势,可以预见在未来几年托尔产品将会不可抗拒的铺向中国的高校和科研市场。托尔公司可以按照客户要求定制各种多功能联合系统。

   

名称

电子束蒸发系统(以EB-4P为例

特点

完全可定制,结构紧凑,实用,可靠性高,薄膜沉积均匀,粘附性好,沉积速率可严格控制,污染低,具备多轴旋转能力。

多种材料的连续沉积,可以完成几乎所有的金属材料和介电薄膜的沉积,是一款极高端配置的高真空镀膜设备,可满足用户几乎所有的苛刻要求。腔室采用最佳的D字型设计,是美国托尔公司的独特设计,完全不同于其他所有的制造商,这种设计可以更方便的靠近电子枪,方便更换干锅和基片样品。更重要的是这种设计可以使腔体小型化,灵活方便,也可以使任何组件和样品方便进出,达到最佳的尺寸和便利性的结合。

应用

专为实验室/大学研发或小规模生产设计,适用于在纳米技术、光学、显微镜、MBE、功能性和装饰性涂层等应用中沉积几乎所有的金属比如Ti, Pd, Ag, Ge, Ni, Ta, Cr, W, Nb, Al, Au, Pt等,以及像SiO2, Ga2O3等氧化材料、磁性材料和电介质等。

基本

配置

工艺腔室

不锈钢D字型腔室设计,前开门,便于靠近蒸发源、样品台和其他所有附件。配有不锈钢筛网的4”直径的观察窗方便监测工艺过程。

电子束枪

44cc水冷干锅,并配有快门挡板。

样品台

样品台尺寸4” 直径(更大的样品台可根据客户要求设计),可以承载最大4”直径的样品或多个更小及不规格的样品,样品台可加热300°C可以0-20 rpm 旋转。配备快门遮挡防止污染。

电源类型

配备X-Y扫描控制器的高压电源(3kW15 kW

真空系统

由机械泵和抽速450L/S的分子泵组成。这样的真空组合,可以实现基础真空10-6 Torr,极限真空10-7 Torr。放气阀与真空泵间安全互锁。

附加装置

带沉积控制器的石英晶体厚度传感器,实时监测沉积速率和膜厚。

具有显示和读数功能的全系列真空计,测量范围760 ~ 10-9Torr

控制系统

全自动

可选

配置

水冷装置、与样品传送系统相匹配的真空进样室、多轴旋转样品台(尺寸和高度可调)、石英灯加热装置(从300°C800°C)、行星式基台、PLC控制系统、PC控制系统、SQC 310薄膜厚度监测器&沉积控制器、机动快门、大容量坩埚和高功率电源、涡旋干泵、低温泵送系统、冷阴极或热阴极电离真空计、额外的备用法兰、带数字读数的质量流量控制器、射频清洗功能、原位掩模更换装置

类似

产品

热蒸发系统 :采用电阻加热蒸发源材料,沉积膜层。受蒸发温度、材料熔点及寿命限制,应用有限,成本较低。

CRTECompact Research Thermal EvaporationSystem:研究用小型热蒸发系统。

名称

磁控溅射系统(MagSputTM系列)

特点 

灵活可拓展,可完全按照要求定制,靶数量可拓展且易于更换,可实现共溅射、不破坏真空的连续溅射和反应溅射。

该型号集成了LoadLock装载室,装片后可实现自动进出片,大大提高了基片的洁净度,进而提高了成膜质量。同时LoadLock装载室与工艺腔室间有闸板阀隔离,也保证了工艺腔室超高真空度,大大降低腔室中颗粒的散射作用,使成膜质量更高。

应用

专为研发和原型生产设计,可用于开发多层光学镀膜、传感器器件、太阳能电池、燃料电池、薄膜研究、超导体研究、ASICMEMS、磁性器件和生物医学研究等各种应用的沉积工艺。

基本配置

工艺腔室

304L不锈钢材质,前开门设计,便于更换靶材,更容易靠近样品台和厚膜仪、热偶、进口等。配有不锈钢筛网的4”直径的观察窗方便监测工艺过程。

磁控枪

4个直径 4” 磁控枪(2个直流2个射频)。每个枪有独立的自动快门挡板,可以沉积各种介电材料,导体和半导体材料等。为了得到最佳的沉积速率,样品台和靶之间的距离可调。

样品台

尺寸4.5” 直径(更大的样品可根据客户要求定制),可以承载最大4”直径的样品或多个更小及不规格的样品,样品台可加热600°C,0-20 rpm 旋转,保证了成膜质量和均匀性。与靶之间距离可调。样品台配有自动快门挡板。

电源类型

DC/RF溅射沉积。DC直流电源用于金属沉积,RF射频电源用于金属氧化物的沉积,可组合。射频电源自动匹配网络,反射功率小于1%

真空泵

涡轮分子真空泵配套双级旋片式真空泵;

附加装置

带沉积控制器的石英晶体厚度传感器;

带数字读数的质量流量控制器;
具有显示和读数功能的全系列真空计,测量范围760E-9 Torr

控制系统

全自动。

可选

配置

水冷装置、基材预清洁、与样品传送系统相匹配的真空进样室、多轴旋转样品台(尺寸和高度可调)、行星式基台、石英灯加热装置(从300°C-800°C)、PLC控制系统、PC控制系统、SQC 310薄膜厚度监测器&沉积控制器、机动快门、涡旋干泵、低温泵送系统、冷阴极或热阴极电离真空计、额外的备用法兰。

类似

产品

CRC 600:研究用小型手动涂覆溅射系统,专为纳米技术研究环境而设计,可用于开发铝、碳、铬、金、特氟龙、二氧化硅、钽、钨和钛等材料的沉积工艺。有DC预清洁和RF蚀刻功能。
IBD System:离子束沉积系统,离子束直接聚焦在靶材上激发出原子沉积在基板上。一般会使用第二个离子源IBAD来控制和增强溅射膜的性质。

名称

Reactive Ion Etcher System反应离子刻蚀系统

特点

可以根据几何形貌和研究需求处理各种尺寸样品,刻蚀均匀性<5%

应用

可用于包括氧化物、氮化物、聚合物等薄膜及硅和微电子器件的材料的各向同性蚀刻,适用于研究和开发,可用于小型试验生产应用。

基本配置

腔体:顶部开口的铝或不锈钢腔体(蛤壳式),有观察窗,尺寸可定制;
样品台:尺寸大小可定制,带水冷装置;
电源类型:功率和频率可定制的RF射频电源,自动匹配网络;
真空泵:涡轮分子真空泵系统搭配旋片式真空泵,可以实现<E-5Torr的真空;
附加装置:在样品台上方定制气体喷淋装置;
质量流量控制器MFC:用于工艺气体数字读数,数量可定制;
真空计:具有显示和读数功能,测量范围E-6Torr
控制系统:手动或PC全自动

可选配置

水冷装置、尾气处理装置、PLC控制系统、PC控制系统、多气路(质量流量控制器)、额外的备用法兰、耐腐蚀真空泵系统、耐腐蚀全金属密封质量流量控制器、耐腐蚀真空计、具有数字显示和读数的隔离式全量程真空计(用于预处理的本底压力测量)

类似产品

ICPRIE系统(Inductively Coupled Plasma):电感耦合等离子体刻蚀,通过在非谐振感应线圈上施加耦合射频电磁场产生等离子体。具备各向异性,可独立控制等离子体密度和能量,等离子体相比于传统等离子体生成方式密度高而气压低,能实现低损伤刻蚀和纳米结构刻蚀,广泛应用于MEMS制造工艺中。

名称

PECVD等离子体增强化学气相沉积系统

特点

完全可定制,沉积速率快,成膜质量好,反应温度低。

应用

适用于实验室/大学研究或小规模生产,广泛应用于半导体封装行业、LED、太阳能等领域,可沉积SiO2Si3N4、非晶硅等半导体化合物薄膜。

基本配置

腔体:电镀抛光不锈钢D型腔体,水冷,全开式前门,有一个4英寸可视窗口,用不锈钢网覆盖来防止沉积。箱体底板连接基板台。顶板连接进气口、RF射频喷头等离子体源。
样品台:尺寸大小可定制,可配备加热和温度监控调节功能。
电源类型:功率可选,频率一般为13.56 MHzRF射频电源,风冷,可以自动匹配网络,可显示正向和反射功率。
真空泵:涡轮分子真空泵搭配双级旋片式真空泵,将本底压力控制在E-7范围。
附加装置:带数字读数的质量流量控制器MFC,数量可升级具有显示和读数功能的真空计,测量范围760E-2 Torr
控制系统:半自动

可选配置

水冷装置、密封件、法兰垫片、维修套件、真空计、加热装置、尾气处理器、PC全自动/手动/服务模式、SQC 310薄膜厚度监测器&沉积控制器、与样品传送系统相匹配的真空进样室。

类似产品

ALDAtomic Layer Deposition)系统:原子层沉积系统,可以将材料以单原子膜形式逐层沉积,均匀性和一致性极好,应用于高级硬盘驱动器、DRAM、存储电容器、TFEL显示器(磷光层)、太阳能电池、MEMSOLED等领域。

名称

电子束蒸发+热蒸发+磁控溅射+离子束辅助联合系统

名称

电子束蒸发+热蒸发+磁控溅射+刻蚀联合系统

特点

集合多种功能一体,灵活可拓展,可完全按照要求定制,各系统共用电源、水冷、气柜和真空泵等,极大地节省空间及成本。

特点

集合多种功能于一体,灵活可拓展,可完全按照要求定制,可选DCRF蚀刻,各系统共用水冷、气柜和真空泵等公共设施,极大地节省了空间及成本;

基本配置

腔体:电镀抛光不锈钢D型腔体,16"× 16"× 20",有4英寸直径带手动挡板的观察窗;
靶枪:两个尺寸可定制的伸缩式磁控枪,带挡板;
坩埚:带水冷坩埚的4个电子束源,容量3cc,带挡板;
加热源:两个具有独立挡板的电阻式加热源,与电源一体化;
离子源:采用会聚离子束源的离子束沉积和电源,靶材易于更换;采用发散束离子源的离子束辅助沉积和电源;
样品台:4英寸样品台,可加热和旋转;
电源类型:带X-Y扫描控制器的高压电源(3kW-10 kW);600W 13。56 MHz射频电源,自动匹配网络;与两个电阻式蒸发源一体的600W直流电源;
真空泵:低温泵(1500 L/s空气,4000 L/s水蒸气)配套双级旋叶低真空泵;
附加装置:

三位置角度阀;

带沉积控制器的石英晶体厚度传感器;

带数字读数的质量流量控制器MFC

具有显示和读数功能的全范围真空计;

定制气体喷淋装置;

控制系统:PLC控制系统;

基本配置

腔体:电镀抛光不锈D型腔体,16"× 16"× 20",有4英寸直径带挡板的观察窗;
靶枪:尺寸可定制,带有气动快门的两个可调倾斜磁控枪;
坩埚:带水冷坩埚的4个电子束源,容量3cc,带挡板;
加热源:两个具有独立挡板的电阻式加热源,与电源一体化;
样品台:4英寸水冷样品台,可加热和旋转;
Load Lock:带独立涡轮真空系统,与样品传送系统相匹配的真空进样室Load Lock,配备用于装载Load Lock的磁耦合传送臂;
电源类型:带X-Y扫描控制器的3kW直流高压电源;具有自动匹配网络的600W 13.56 MHz射频电源;具有2个电阻式蒸发源的600W直流电源;
真空泵:1500 L/s低温泵搭配双级低真空粗抽泵;
附加装置:

三位8英寸角度阀;

带沉积控制器的石英晶体厚度传感器/监测器;

2个带数字读数的质量流量控制器MFC

定制气体喷淋装置;
控制系统:PLC控制系统;

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