北京特博万德科技
硅外延/蓝宝石外延SOS/GaAs外延/Inp外延/GaN外延
来源: | 作者:北京特博文宣部 | 发布时间: 2009-02-19 | 225 次浏览 | 分享到:

Type

Substrates

Display

Desciption

Si Epi

Si

size

3-8”

Type

P/P++, N/N++, N/N+, N/N+/N++, N/P/P, P/N/N+

Epi Resistivity (Ω*cm)

0。001-1500

Homogeneity

<6%

Epi Thickness  ( µm)

0.1-200

Homogeneity

<10%

R-Sapphire

(SOS)

size

EPI Thickness (um)

EPI Res.(ohm.cm)

150 mm (6”)

0.3

>30

100 mm (4”)

0.3,0.6

>30

5-30

2。5-10

76 mm (3”)

0。6-5

0.003-0.025

 

GaN/SiC Epi

C-Sapphire

EPI  Type

N(Si)P(Mg)、不掺杂

Standard size

2”

Sapphire Thickness (um)

430

EPI Thickness (um)

3-9um

Si/SiC

4-6GaN Epi on Si /SiC

4-6SiC Epi on SiC

  

 

LED/LD Epi

GaAs

 

2", 2 um AlInP EPI layer on GaAs substrate

典型波长:

792nm808nm825nm880nm915nm940nm976nm980nm1060nm1550nm。可制作2W4W器件。

可以提供LED级别的,2寸红光,蓝光,绿光外延片。我们拥有MBE工艺,按客户要求定制苛刻要求的各种GaAs基,InP基,Si基等复杂结构的外延。

可提供PLX-rayECV检测报告。

2" AlGaAs on GaAs(N-type i-doped)  substrate
EPI: Al(x)Ga(1-x)As, x=0。15

3"  structure is from bottom to top 
GaAs(100)~200nm In0.5Ga0.5P~1400nm GaAs~320nmAI0.2Ga0.8As~30nmGaAs

InP

 

2" /InP/ undoped

2", 2 um InGaAs EPI layer on InP substrate

InP / 1.8 micron / undoped

In(0。53)Ga(0。47)As/300 nm / p-type 1e18 cm-3

InP substrate / 350 micron / undoped

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