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氮化硅片

       

尺寸: 2-6英寸;
工艺:
LPCVD,PECVD;LPCVD,具有均匀性好,应力低,成膜质量好等优点。
氮化厚度:
几十纳米至几微米,低应力:<250MPa;
出货速度:
长期备有大量现货,当天出库;
订制能力:
各种参数均可订制;
用途:
钝化膜、绝缘层、扩散掩膜。硅中的氮能提高硅单晶的强度,防止硅片翘曲,并能  抑制微缺陷形成。用于半导体光刻、纳米压印、PVD/CVD镀膜、MEMS、半导体器件等领域。

部分现货规格如下表,获取更多库存请联系我们:

No. Size Polished-side Type Coating thickness  Si-thickness(um) Resis.(ohm.cm)
#N1 2" 双抛双面氮化 N100 200nmSi3N4 400±15 3-6
#N2 2" 单抛双面氮化 P100 200nmSi3N4 400±15 <0.0015
#N3 3" 双抛双面氮化 150nmSi3N4 
#N4 4" 单抛双面氮化 N100 40nmSi3N4  500±10 <0.02
#N5 4" 双抛双面氮化 N100 50nmSi3N4  510-540 13-18
#N6 4" 双抛双面氮化 P100 50nmSi3N4  500±15 >2000
#N7 4" 双抛双面氮化 P100 50nmSi3N4  200±10 <0.02
#N8 4" 单抛双面氮化 N100 95nmSi3N4  525±15 1-10
#N9 4" 单抛双面氮化 N100 100nmSi3N4  500±10 <0.05
#N10 4" 单抛双面氮化 P100 100nmSi3N4  500±25 0.01-0.02
#N11 4" 双抛双面氮化 P100 200Si3N4  300±10 5-10
#N12 4" 单抛双面氮化 P100 100nmSi3N4  300±10 5-10
#N13 4" 双抛双面氮化 N100 200nmSi3N4  200±15 1-15
#N14 4" 双抛双面氮化 P100 150nmSi3N4  500±25 10-20
#N15 4" 单抛双面氮化 P100 200nmSi3N4  525±25 10-20
#N16 4" 单抛双面氮化 N100 200nmSi3N4  500±10 <0.05
#N17 4" 单抛双面氮化 N100 800nmSi3N4  450±15 1-10
#N18 4" 双抛双面氮化 N100 800nmSi3N4  400±15 0.01-0.02
#N19 4" 双抛双面氮化 100 800nmSi3N4  425±20 0.001-0.01
#N20 4" 双抛双面氮化 P100 300nmSi3N4  300±20 0.01-0.02
#N21 4" 单抛双面氮化   P100 800nmSi3N4  475-525 0.01-0.02
#N22 4" 单抛单面氮化 P100 5μmSiO2/400nmSi3N4  300±10 1-10
#N23 6" 单抛双面氮化 N100 120nmSi3N4  510±10 6-8

脚注信息
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